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筆記本內(nèi)存ddr2和ddr3區(qū)別,筆記本ddr內(nèi)存條和ddr2兼容嗎

電腦內(nèi)存條DDR和DDR2、DDR3有什么區(qū)別?首先無論DDRDDR2還是DDR3,其工作頻率主要有以下幾種100MHz133MHz167MHz200MHz等\x0d\x0aDDR采用一個周期來回傳遞一次數(shù)據(jù),因此傳輸在

電腦內(nèi)存條DDR和DDR2、DDR3有什么區(qū)別?

首先無論DDRDDR2還是DDR3,其工作頻率主要有以下幾種100MHz133MHz167MHz200MHz等\x0d\x0aDDR采用一個周期來回傳遞一次數(shù)據(jù),因此傳輸在同時間加倍,因此就像工作在兩倍的工作頻率一樣。為了直觀,以等效的方式命名,因此命名為DDR200266333400\x0d\x0aDDR2盡管工作頻率沒有變化,數(shù)據(jù)傳輸位寬由DDR的2bit變?yōu)?bit,那么同時間傳遞數(shù)據(jù)是DDR的兩倍,因此也用等效頻率命名,分別為DDR2400533667800\x0d\x0aDDR3內(nèi)存也沒有增加工作頻率,繼續(xù)提升數(shù)據(jù)傳輸位寬變?yōu)?bit,為DDR2兩倍,因此也在同樣工作頻率下達到更高帶寬,因此用等效方式命名DDR3800106613331600\x0d\x0a所以可以看到,如DDR400DDR2800DDR31600內(nèi)存工作頻率沒有區(qū)別,只是由于傳輸數(shù)據(jù)位寬倍增,導致帶寬的增加。\x0d\x0a\x0d\x0a而內(nèi)存的真正工作頻率決定了延遲了,DDR400與DDR2800真實工作頻率相同,后者帶寬是前者一倍,延遲上一樣。如果是DDR400與DDR2667,那后者雖然帶寬更大,不過其真實頻率反而低一些,延遲上略大。\x0d\x0a\x0d\x0a另外,內(nèi)存在升級發(fā)展過程中,其工作電壓一直在降低,因此在性能提升的同時,功耗也在逐漸變小。\x0d\x0a\x0d\x0a至于說到接口,三者都不一樣,在內(nèi)存上有一個小缺口,三種內(nèi)存的小缺口都不在同一位置,因此只能插在對應(yīng)的插槽上。不能兼容。

內(nèi)存卡DDR1,DDR2,DDR3,DDR4都有什么區(qū)別,什么意思?

內(nèi)存卡DDR1,DDR2,DDR3,DDR4區(qū)別為:功能不同、傳輸速率不同、電壓頻率不同。

一、功能不同

1、DDR1:DDR1在單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。

2、DDR2:DDR2新增了BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計,各個BankGroup具備獨立啟動操作讀、寫等動作特性。

3、DDR3:DDR3新增ASR(AutomaticSelf-Refresh)、SRT(Self-RefreshTemperature)等兩種功能,讓內(nèi)存在休眠時也能夠隨著溫度變化去控制對內(nèi)存顆粒的充電頻率,以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

4、DDR4:DDR4增加了DBI(DataBusInversion)、CRC(CyclicRedundancyCheck)、CAparity等功能,讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時亦能夠增強信號的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲存的可靠性。

二、傳輸速率不同

1、DDR1:DDR1的傳輸速率介于266~400MT/s之間。

2、DDR2:DDR2的傳輸速率介于533~800MT/s之間。

3、DDR3:DDR3的傳輸速率介于1066~1600MT/s之間。

4、DDR4:DDR4的傳輸速率介于2133~3200MT/s之間。

三、電壓頻率不同

1、DDR1:DDR1使用的電壓是2.5V,頻率有200、266、333、400四種。

2、DDR2:DDR2使用的電壓是1.8V,頻率有533,667,800三種。

3、DDR3:DDR3使用的電壓是1.5V。頻率有1066、1333、1600、2133四種。

4、DDR4:DDR4使用的電壓是1.2V。頻率有3000、2666、3200、2400、2933五種。

擴展資料:

內(nèi)存條區(qū)分方法:

1、DDR1,也就是一代內(nèi)存條。這種內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒足足有二代三代的兩倍,一看就知道是落后工藝,舊時代的產(chǎn)品。配有一代內(nèi)存的電腦,cpu是單核的,配著IDE接口的硬盤,看視頻無法流暢觀看。

頻率為400MHZ,容量只有512M,也就是0.5G。頻率才是關(guān)鍵。一代內(nèi)存條的頻率有333MHZ和400MHZ,所以標簽上的400就足以證明它是一代內(nèi)存條。容量不是關(guān)鍵,一代內(nèi)存條有1G容量的,三代內(nèi)存條也有1G容量的。

2、二代內(nèi)存條有533,667,800三種頻率。它們都屬于二代內(nèi)存條,外觀,接口都是一樣的,相互兼容,可以共用。只不過高頻率的內(nèi)存條要遷就低頻率的內(nèi)存條。假如一臺電腦上同時插有800MHZ和533MHZ的兩條內(nèi)存條,那電腦就只能工作在533MHZ頻率下,性能上會有點折損。

3、三代內(nèi)存條的頻率一般有1066,1333,1600,2133,用得比較多的是1333,1600。是市場比較流行的。

4、上面的較長內(nèi)存條是臺式機電腦用的。筆記本內(nèi)存條為了適應(yīng)筆記本的大小,做成短的。主要辨別方法也是看標簽。

5、筆記本的內(nèi)存條相信是比較容易區(qū)分一二三代的。只需看PC這個字樣就OK了。PC代表一代,PC2代表二代,PC3代表三代。ddr400后面的頻率是200MHZ,因為DDR是雙倍速率的,實際速率還是400MHZ.

筆記本內(nèi)存條ddr2和ddr3的區(qū)別

簡單的講就是省電

高頻

功耗小

熱小

通用,對電腦的要求是需要主板支持。

DDR3可以看作是DDR2的改進版,二者有很多相同之處,例如采用1.8V標準電壓、主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進:DDR3采用0.11微米生產(chǎn)工藝,耗電量較DDR2明顯降低。此外,DDR3顯存采用了“Pseudo

Open

Drain”接口技術(shù),只要電壓合適,主板芯片可直接支持DDR3。當然,內(nèi)存顆粒較長的延遲時間(CAS

latency)一直是高頻率顯存的一大通病,DDR3也不例外,DDR3的CAS

latency為5/6/7/8,相比之下DDR2為3/4/5??陀^地說,DDR3相對于DDR2在技術(shù)上并無突飛猛進的進步,但DDR3的性能優(yōu)勢仍比較明顯:

(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓,在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。

(2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點。

(3)降低整體成本:DDR2顆粒規(guī)格多為4M

X

32bit,128MB便需8顆。而DDR3規(guī)格多為8M

X

32bit,單顆顆粒容量較大,4顆即可構(gòu)成128MB。如此一來,PCB面積可減小,成本得以有效控制,此外,顆粒數(shù)減少后,功耗也能進一步降低。

(4)通用性好:相對于DDR變更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變,稍加修改便能采用DDR3,這對廠商降低成本大有好處。

本文分類:科技

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發(fā)布日期:2023-04-28 19:24:27

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