筆記本標(biāo)壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存,筆記本標(biāo)壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的區(qū)別

筆記本電腦內(nèi)存低壓的可以插標(biāo)壓的嗎

筆記本電腦低壓內(nèi)存是不能插標(biāo)壓的。

不同類型的內(nèi)存，正常工作需要的電壓值不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。筆記本硬件要求嚴(yán)格，穩(wěn)定性要求高。換用標(biāo)壓內(nèi)存，筆記本功耗增加，影響穩(wěn)定性。

擴(kuò)展資料

續(xù)航一直是筆記本不斷追求的核心賣(mài)點(diǎn)，CPU通過(guò)不斷降低的TDP來(lái)延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間，而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來(lái)減小電池的消耗。從最早的SD內(nèi)存(3.3V)、DDR1(2.6V)、DDR2(1.8V)、DDR3(1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U(1.25V)，內(nèi)存的“升級(jí)史”其實(shí)也是電壓的“降級(jí)史”，其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量（性能不受影響）。

筆記本用戶在升級(jí)內(nèi)存時(shí)要看清說(shuō)明，有的筆記本只支持低壓內(nèi)存。低壓內(nèi)存就是為筆記本等這樣對(duì)于重量和續(xù)航有一定要求的設(shè)備設(shè)計(jì)的，所以購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存時(shí)千萬(wàn)要注意，不要不小心購(gòu)買(mǎi)了PC的標(biāo)壓內(nèi)存，回頭筆記本卻不能用，造成了經(jīng)濟(jì)上的損失。

參考資料來(lái)源：太平洋網(wǎng)絡(luò)-千萬(wàn)別買(mǎi)錯(cuò)！內(nèi)存的標(biāo)壓和低壓大不同

筆記本內(nèi)存的低電壓版，和普通的有什么區(qū)別

一、電壓值不同

1、低電壓版：工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.2伏。

2、普通電壓版：工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.3伏。

二、性能不同

1、低電壓版：低壓內(nèi)存性能要比普通電壓內(nèi)存性能差。

2、普通電壓版：標(biāo)壓內(nèi)存相比低壓內(nèi)存，性能強(qiáng)了大約10-15%左右。

三、節(jié)能性不同

1、低電壓版：低壓內(nèi)存比標(biāo)壓內(nèi)存節(jié)能2W左右。

2、普通電壓版：標(biāo)壓內(nèi)存比低壓內(nèi)存要費(fèi)電。

參考資料來(lái)源：百度百科-內(nèi)存

參考資料來(lái)源：百度百科-內(nèi)存電壓

低壓內(nèi)存和標(biāo)壓內(nèi)存哪一個(gè)比較好

低壓內(nèi)存和標(biāo)壓內(nèi)存哪一個(gè)比較好?提到為筆記本進(jìn)行升級(jí)，很多人的第一個(gè)念頭是為筆記本加裝內(nèi)存實(shí)現(xiàn)運(yùn)行速度的提升。而某些淘寶店明確指出，英特爾第四代Haswell架構(gòu)酷睿處理器只能使用1.35V低電壓內(nèi)存。那么這個(gè)說(shuō)法是否屬實(shí)呢?低電壓內(nèi)存的兼容性如何?它與標(biāo)壓內(nèi)存又有哪些不同?下面我給大家介紹下兩者的區(qū)別和優(yōu)劣，希望對(duì)大家有幫助!

低壓內(nèi)存和標(biāo)壓內(nèi)存哪一個(gè)比較好?

●測(cè)試平臺(tái)簡(jiǎn)介

首先我們針對(duì)低壓內(nèi)存的兼容性進(jìn)行測(cè)試，本次測(cè)試是為探究處理器規(guī)格與內(nèi)存電壓規(guī)格之間的關(guān)系，所以我們選擇了四款配備不同處理器的筆記本進(jìn)行測(cè)試。分別是配備了i7-4700MQ的神舟K710C，配備了i7-4500U的戴爾靈越155000，配備了i5-4200H的聯(lián)想Y50和配備了i5-4200U的東芝U40A。大家應(yīng)該已經(jīng)注意到了，我們的測(cè)試處理器為英特爾中高端產(chǎn)品中的標(biāo)壓和低壓兩種規(guī)格，由于目前配備了i3處理器的機(jī)器不多，所以我們?cè)跍y(cè)試中沒(méi)有使用i3芯筆記本。

聯(lián)想Y50i5-4200H

東芝U40i5-4200U

神舟K710Ci7-4700MQ

戴爾靈越155000i7-4500U

●測(cè)試內(nèi)存簡(jiǎn)介

在本次測(cè)試中，前前后后我們使用了8種不同型號(hào)一共14條內(nèi)存產(chǎn)品進(jìn)行了測(cè)試，這個(gè)選題從2月份就提了出來(lái)，為了獲得更多的測(cè)試結(jié)果以達(dá)到最準(zhǔn)確的結(jié)論一直拖到今天才完成。由于測(cè)試周期冗長(zhǎng)，所以前期測(cè)試的筆記本與后期測(cè)試的筆記本沒(méi)能夠使用同樣的內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，但好在其并不影響測(cè)試結(jié)果。所以最終的測(cè)試結(jié)果依然是值得參考的。

●測(cè)試方案

將幾款不同的內(nèi)存分別裝在不同處理器的機(jī)器后開(kāi)機(jī)，觀察是否能夠正常啟動(dòng)并進(jìn)入系統(tǒng)，如果能夠進(jìn)入操作系統(tǒng)則運(yùn)行CPU-Z和AID64查看內(nèi)存運(yùn)行狀態(tài)以觀察內(nèi)存是否完美兼容。

●測(cè)試結(jié)果

我們可以看到，兩款標(biāo)壓處理器的結(jié)果均為YES，可以完美兼容運(yùn)行。而兩款低壓處理器則沒(méi)能在1.5V內(nèi)存下開(kāi)機(jī)進(jìn)入操作系統(tǒng)。我們可以初步判定，低壓處理器只能使用低壓內(nèi)存條，而標(biāo)壓處理器則可以完美兼容低壓和標(biāo)壓內(nèi)存。用戶在購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)需要多加注意。

性能差異不大/發(fā)熱表現(xiàn)優(yōu)秀標(biāo)壓低壓對(duì)比測(cè)試

●標(biāo)壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的性能對(duì)比

與標(biāo)壓和低壓處理器一樣，提到電壓規(guī)格的不同，我們想的第一件事情就是電壓的差異是否會(huì)帶來(lái)性能上的差距。本次測(cè)試所用標(biāo)壓內(nèi)存為1333MHz，低壓內(nèi)存為1600MHz，沒(méi)能保證唯一變量是內(nèi)存電壓有所遺憾，但我們已經(jīng)知道，內(nèi)存頻率不同帶來(lái)的性能差距是非常小的，所以對(duì)于本次測(cè)試，它對(duì)結(jié)果的影響不會(huì)太大。測(cè)試結(jié)果依然具有參考有意義。我們使用AIDA64的內(nèi)存測(cè)試工具進(jìn)行跑分測(cè)試，分四種不同的組合方式，測(cè)試筆記本為聯(lián)想Y50，其測(cè)試結(jié)果下。

南亞4GB單條測(cè)試成績(jī)(1.35V)

海盜船4GB單條測(cè)試成績(jī)(1.5V)

在單條跑分測(cè)試中，標(biāo)壓海盜船內(nèi)存條以微弱的優(yōu)勢(shì)取勝，雖然其讀取成績(jī)超過(guò)南亞低壓內(nèi)存條，但是在寫(xiě)入測(cè)試中有所失利，在其它環(huán)節(jié)中二者互有勝負(fù)，但是總體而言成績(jī)相差并不明顯，這些差異我們僅能夠在專業(yè)的測(cè)試軟件中通過(guò)數(shù)據(jù)感知，在實(shí)際使用過(guò)程中幾乎沒(méi)有影響。

既然單條成績(jī)差異不大，我們?cè)賮?lái)看雙通道情況下的測(cè)試成績(jī)，由于我們現(xiàn)有的另外一條標(biāo)壓內(nèi)存為2GB容量，所以在本環(huán)節(jié)中采用2根低壓內(nèi)存同低壓+標(biāo)壓內(nèi)存的混搭方式進(jìn)行對(duì)比。

南亞8GB雙通道測(cè)試成績(jī)(1.35V)

南亞4GB+海盜船4GB雙通道測(cè)試成績(jī)(混搭)

在這一環(huán)節(jié)中，兩根低壓內(nèi)存組成的雙通道在讀取、寫(xiě)入和復(fù)制環(huán)節(jié)中都有大幅優(yōu)勢(shì)，而在L1、L2以及L3級(jí)緩存的測(cè)試中則沒(méi)有太多差別。由于兩根低壓內(nèi)存的時(shí)序以及頻率等都完全相同，所以其成績(jī)表現(xiàn)是符合預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)的。而標(biāo)壓和低壓內(nèi)存的混搭組合帶來(lái)了太多的變量，但其成績(jī)也沒(méi)有太過(guò)糟糕。我們不推薦這樣的內(nèi)存組合方式，但是在最大化節(jié)省升級(jí)資金的情況下，采用原有內(nèi)存+新低壓內(nèi)存的組合也不會(huì)對(duì)性能造成太大影響。

●標(biāo)壓內(nèi)存與低壓內(nèi)存發(fā)熱量對(duì)比

性能方面我們已經(jīng)確定標(biāo)壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的差別并不是非常大，而眾多廠家選擇使用低壓內(nèi)存更多的原因是由于低壓內(nèi)存相比標(biāo)壓內(nèi)存擁有更客觀的發(fā)熱量，這一點(diǎn)對(duì)于輕薄筆記本來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。同樣，我們采用實(shí)際測(cè)試的方式進(jìn)行對(duì)比，測(cè)試所用筆記本為Acer4750G。

選擇Acer4750G進(jìn)行溫度測(cè)試是因?yàn)槠鋬?nèi)存卡槽位于左手掌托下端，手掌能夠比較容易地感知到這部分的溫度，檢測(cè)起來(lái)也比較容易。測(cè)試環(huán)境溫度在26度左右。開(kāi)機(jī)后使用AIDA64軟件的內(nèi)存測(cè)試工具進(jìn)行4次測(cè)試把內(nèi)存溫度升高，使用溫槍對(duì)內(nèi)存上方位置進(jìn)行檢測(cè)，取最高溫度拍照。然后打開(kāi)內(nèi)存蓋直接檢測(cè)內(nèi)存顆粒溫度，最后將內(nèi)存拔出后迅速檢測(cè)兩條內(nèi)存間位置的內(nèi)存顆粒溫度。

標(biāo)壓內(nèi)存溫度測(cè)試

低壓內(nèi)存溫度測(cè)試

可以看到，無(wú)論在哪個(gè)環(huán)節(jié)中低壓內(nèi)存的發(fā)熱表現(xiàn)都比標(biāo)壓內(nèi)存更加優(yōu)秀，在滿載時(shí)候的標(biāo)壓內(nèi)存比低壓內(nèi)存整整高出了4.6攝氏度，要知道在筆記本平臺(tái)中，溫度每提升一度對(duì)整機(jī)的散熱都是一項(xiàng)莫大的挑戰(zhàn)。

在溫度測(cè)試中，低壓內(nèi)存以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)先，這樣的表現(xiàn)給筆記本帶來(lái)了更加清涼的使用感受，散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)也容易了一些。另外，這臺(tái)測(cè)試用筆記本為酷睿二代處理器，也就是說(shuō)，在老酷睿平臺(tái)下，低壓內(nèi)存一樣能夠完美兼容運(yùn)行。

●該選擇什么樣的內(nèi)存條升級(jí)

通過(guò)前文的測(cè)試我們可以看到，標(biāo)準(zhǔn)電壓處理器理論上對(duì)標(biāo)壓和低壓內(nèi)存都可以完美兼容，但考慮到不太大的性能差異以及低壓內(nèi)存良好的溫度表現(xiàn)，我們建議優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進(jìn)行升級(jí)。容量方便建議4GB起步，頻率1600MHz最佳，畢竟當(dāng)下的應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量的要求越來(lái)越高，雖然頻率的提升對(duì)性能的影響不大，但是價(jià)格相差不大的情況下買(mǎi)高頻率的顯然更劃算。不過(guò)現(xiàn)在的內(nèi)存行情有點(diǎn)偏高，我2012年買(mǎi)的一條4GB海盜船才花119元。

對(duì)于采用低壓處理器的筆記本來(lái)說(shuō)，低壓內(nèi)存是唯一的選擇，最穩(wěn)妥的方法是根據(jù)Intel官網(wǎng)給出的支持列表進(jìn)行選購(gòu)，但是在我們的測(cè)試中，有幾款低壓內(nèi)存條沒(méi)有在這一列表之中，所以理論上看，低壓處理器是可以兼容大部分低壓內(nèi)存條的，消費(fèi)者也不必機(jī)械地只買(mǎi)支持列表中的產(chǎn)品。

全文總結(jié)：

早在英特爾第二代酷睿處理器SNB開(kāi)始，處理器整合北橋功能，集成內(nèi)存控制器，自此內(nèi)存支持情況完全由處理器決定。但考慮到整機(jī)部分，受到廠商成本因素、庫(kù)存情況影響，如果標(biāo)準(zhǔn)電壓內(nèi)存、低電壓內(nèi)存都可以支持，那么配備哪種內(nèi)存就都是有可能的，就看廠商愿意先消化掉哪部分庫(kù)存，比如神舟K710C就采用了2GB低壓內(nèi)存。

通過(guò)本次測(cè)試，我們認(rèn)為，低壓處理器理論上只支持低壓內(nèi)存產(chǎn)品，而標(biāo)壓內(nèi)存則可以兼容標(biāo)壓和低壓兩種電壓規(guī)格的產(chǎn)品。在內(nèi)存升級(jí)方面，由于兩種規(guī)格的內(nèi)存性能差異不大，但低壓內(nèi)存的溫度表現(xiàn)實(shí)在優(yōu)秀，所以我們建議用戶優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進(jìn)行升級(jí)。

如何區(qū)分筆記本電腦內(nèi)存條是低壓還是標(biāo)壓

工具/材料

CPU-Z軟件

一般情況下，如果要檢測(cè)內(nèi)存條電壓版本，要使用CPU-Z版本，所以，我們要搜狗搜索“CPU-Z”，并下載該軟件。

CPU-Z軟件下載完畢之后，雙擊進(jìn)入安裝程序界面，完成該軟件的安裝，并運(yùn)行該軟件檢測(cè)電腦硬件。

打開(kāi)CPU-Z軟件主界面之后，點(diǎn)擊頁(yè)面中的“SPD”選項(xiàng)，即可查看到內(nèi)存條的類型、頻率和電壓。

一般來(lái)說(shuō)，針對(duì)DDR3內(nèi)存條類型，是區(qū)分標(biāo)壓和低壓版本的，標(biāo)壓版本標(biāo)記為DDR3，低壓版本標(biāo)記為DDR3L。如果是標(biāo)壓版本，可以看到內(nèi)存電壓為1.5V。

如果是低壓版本的話，可以看到內(nèi)存電壓為1.35V。

現(xiàn)在大部分電腦都配備了DDR4版本的內(nèi)存條，針對(duì)DDR4版本的內(nèi)存條，電壓都統(tǒng)一為1.2V。

低電壓版內(nèi)存和標(biāo)壓有什么區(qū)別嗎？

低電壓內(nèi)存和標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存，性能上沒(méi)有區(qū)別，只有耗電上有區(qū)別。

因?yàn)闃?biāo)稱同樣頻率的內(nèi)存，比如同樣是DDR31333，無(wú)論是低電壓還是標(biāo)準(zhǔn)電腦，都是工作在標(biāo)準(zhǔn)的1333的頻率下，性能上沒(méi)有任何區(qū)別。低壓和高壓的不同，在于標(biāo)準(zhǔn)電壓或高電壓的內(nèi)存，可以超過(guò)標(biāo)稱的頻率，工作在更高的頻率下，這就是人稱的“超頻”。在不超頻的前提下，低電壓和內(nèi)存和標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存，在性能方面是一致的。

低電壓內(nèi)存，一般用在移動(dòng)設(shè)備上，比如筆記本。因?yàn)楦偷哪芎?，?duì)于移動(dòng)設(shè)備更有意義?？梢杂行У拇龠M(jìn)待機(jī)時(shí)間的提高。這也是低電壓內(nèi)存的所在。

低電壓內(nèi)存與標(biāo)壓有什么區(qū)別

低電壓內(nèi)存與標(biāo)壓內(nèi)存的區(qū)別如下：

一、指代不同

1、低壓版本：采用優(yōu)質(zhì)元器件和先進(jìn)技術(shù)，具有體積小，容量大，速度快，功耗低，散熱好等特點(diǎn)。

2、標(biāo)壓版本：在總線模式下進(jìn)行讀寫(xiě)的組件。

二、特點(diǎn)不同

1、低壓版本：當(dāng)大容量存儲(chǔ)器保證相同容量時(shí)，它將產(chǎn)生較少的熱量，這對(duì)于移動(dòng)PC的穩(wěn)定性也非常重要。

2、標(biāo)壓版本：使用支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3VLVTTL標(biāo)準(zhǔn)。

三、技術(shù)不同

1、低壓版本：使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行，而且與CPU完全相同。

2、標(biāo)壓版本：延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)技術(shù)。當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲(chǔ)控制器可以使用此數(shù)據(jù)過(guò)濾信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)模塊數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。